1、采用鎂光(Micron)最新1znm 16Gb DDR5顆粒。
2、最高頻率可達(dá)5200MHz
3、工作電壓1.1V,可以達(dá)到降低發(fā)熱量和省電的效果。
4、DDR5 DRAM 為每128位數(shù)據(jù)設(shè)置8位的ECC存儲(chǔ)空間,使得On-die ECC 具有強(qiáng)大的RAS功能,可以保護(hù)存儲(chǔ)器陣列免受單個(gè)數(shù)位錯(cuò)誤的影響。
5、單只內(nèi)存容量最高可達(dá)單只32GB。
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